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Obleas de tipo n

introducción:

● Low oxygen and large thermal field process

● High-efficiency silicon wafers that meet customers' differentiated needs

● Ample production capacity reserves


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Detalles del producto

Las propiedades de los materiales


El artículo



especificaciones


Método de ensayo


Método de crecimiento



Czochralski técnica


--


cristcristules


monomonocristalino

--


Tipo conductor


Tipo n

Máquina de pruebas PN


dimensiones


M10:182.2*183.75 × 256mm

G12:210*210 φ295mm

G12-R:182.3*210 φ272mm


i


El espesor


M10:90-160µm

G12:90-160µm

G12R:90-160µm


i






Propiedades eléctricas


El artículo



especificaciones


Método de ensayo


resistividad



0,6-1,6< - cm>


i


De por vida



− 800 < − s >


BCT-400


Contenido de oxígeno



12<ppma>


FTIR (ASTM F121-83)


Contenido de carbono



1<ppma>


FTIR (ASTM F123-91)







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